報(bào)告承辦單位: 物理與電子科學(xué)學(xué)院

報(bào)告內(nèi)容:  Compact Modeling of Junction Failure in Semiconductor Devices Subject to Electrostatic Discharge Stresses

報(bào)告人姓名: 劉俊杰

報(bào)告人所在單位:  鄭州大學(xué)

報(bào)告人職稱/職務(wù)及學(xué)術(shù)頭銜: 教授，博士生導(dǎo)師

報(bào)告時(shí)間: 2019年12月17日上午10:00

報(bào)告地點(diǎn): 云塘理科樓B413

報(bào)告人簡(jiǎn)介:

 劉俊杰教授于1987年獲得美國(guó)佛羅里達(dá)大學(xué)電子工程專業(yè)博士學(xué)位。IEEE Fellow，美國(guó)佛羅里達(dá)大學(xué)終身教授，鄭州大學(xué)教授。長(zhǎng)期致力于半導(dǎo)體器件和集成電路靜電保護(hù)的研究，是國(guó)際上半導(dǎo)體器件和集成電路ESD領(lǐng)域的權(quán)威之一。曾擔(dān)任IEEE電子器件協(xié)會(huì)副主席，獲得IEEE杰出教育獎(jiǎng)。近十年來(lái)，從美國(guó)國(guó)家自然科學(xué)基金和世界知名半導(dǎo)體企業(yè)獲得超過(guò)1000萬(wàn)美元的科研經(jīng)費(fèi)，發(fā)表論文500多篇，授權(quán)美國(guó)專利12項(xiàng)。