國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展動態(tài)
CsPbBr3具有高平均原子序數(shù)(Cs:55,Pb:82,Br:35),高電阻率(1011??cm),寬禁帶寬度(2.26 e V),較大的載流子遷移率壽命積等優(yōu)點,是一種非常有前景的室溫半導(dǎo)體核輻射探測新材料。目前對溴鉛銫單晶的生長和研究還非常少,處于起步階段。
CsPbBr3 的研究開始于 20 世紀(jì) 50 年代,但是一直沒有作為 X 射線或射線探測器材料作為研究CsPbBr3 是正交晶系,室溫下單晶衍射儀測試結(jié)果為扭曲的鈣鈦礦結(jié)構(gòu),晶體結(jié)構(gòu)如圖一所示。
圖一 CsPbBr3的晶體結(jié)構(gòu)
CsPbBr3具有較大的原子序數(shù)(Pb:82,Cs:55,Br:35),決定了它具有較高的射線吸收系數(shù)。CsPbBr3 禁帶寬度為 2.26e V,禁帶寬度較大,這決定了CsPbBr3可以在室溫下工作,有較大的電阻率和較小的室溫漏電流決定了它會有較高的能量分辨率。同時,CsPbBr3的載流子遷移率壽命積也比較大(電子的遷移率壽命積為大約為1.7×10-3cm2/V,空穴的遷移率壽命積為 1.3×10?3 cm2/V),是一個很好的電荷傳輸材料。
CsPbBr3的帶隙為2.3eV,TiO2禁帶寬度較大(3.2eV,只能吸收波長小于387nm的紫外光(占太陽光能量不到5% ),而對可見光(占太陽光能量約50%)沒有響應(yīng)。相比之下CsPbBr3的禁帶寬度更窄,對太陽光的利用率更高。
關(guān)于CsPbBr3的性能研究,著重在光電性能的研究。而關(guān)于光催化性能的研究,目前還沒有相關(guān)研究報道。
目前CsPbBr3的合成方法主要有溶液合成法和固相合成法、溶膠凝膠法。而溶膠凝膠法主要用于合成 CsPbBr3 薄膜或量子點,由于技術(shù)復(fù)雜,產(chǎn)量低不太適合用來合成原料。對于合成所用原料比較適合方法是溶液法和固相合成法。
液相合成 CsPbBr3 主要是利用PbBr2 溶液和 CsBr 溶液反應(yīng)生成 CsPbBr3 粉體。液相反應(yīng)過程中需要特別注意 PbBr2 溶液和 CsBr 溶液的混合方式。不同混合方式會有不同的產(chǎn)物生成。同時使用溶液反應(yīng)由于溶劑中本身雜質(zhì)的存在,會對合成的粉體中引入新的雜質(zhì),不利于得到性能優(yōu)良晶體的。由于 CsPbBr3 會有一部分溶于溶劑中,會在洗滌過程中隨溶劑流失。因此對原材料造成了一定的浪費,同時 CsPbBr3 產(chǎn)量會降低。由于溶液合成法的以上不足之處,所以采用固相反應(yīng)生成CsPbBr3更為合適。PbBr2 和 CsBr 反應(yīng)形成 CsPbBr3 過程如圖二所示。
圖二 CsPbBr3固相反應(yīng)過程示意圖
常溫下,用天平稱取等物質(zhì)的量的 PbBr2 和CsBr,將兩種物質(zhì)放入以提前處理干凈的瑪瑙研缽(先用丙酮浸泡24h,除去有機物,然后用超聲清洗)。充分研磨,使兩種物質(zhì)充分混合。由于 CsBr 和 PbBr2 反應(yīng)較劇烈,在常溫下即可發(fā)生反應(yīng),所以當(dāng)研磨一小會兒就會發(fā)現(xiàn),白色粉體被研磨部分變成淡黃色,表明 PbBr2 和 CsBr 已經(jīng)開始反應(yīng)生成 CsPbBr3。為了達(dá)到 PbBr2 和 CsBr 充分接觸反應(yīng),研磨時間要盡量長一些(一般研磨 1h 以上),最后得到顏色均勻的淡黃色粉末。
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