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何渝霜

發(fā)布日期:2023年09月01日 來源: 作者:

 

 

 

何渝霜 博士

 

       話:0731-

       hoyucream@csust.edu.cn

辦公地點(diǎn):新能源大樓2棟210

個(gè)人主頁

 

個(gè)人簡介

何渝霜,女,漢族,中共黨員,1993年出生于重慶渝中,博士。

20176月于東北石油大學(xué)電氣信息工程學(xué)院電氣工程及其自動(dòng)化專業(yè)畢業(yè),獲工學(xué)學(xué)士學(xué)位,同年保研至重慶大學(xué)碩博連讀;202306月于重慶大學(xué)電氣工程學(xué)院電氣工程專業(yè)畢業(yè),獲工學(xué)博士學(xué)位。20237入職長沙理工大學(xué)電氣與信息工程學(xué)院。

 

主講課程

暫未定

 

研究方向

1.儲能材料及其應(yīng)用2.電氣設(shè)備狀態(tài)評估與分析

 

論文專著

在國內(nèi)外高水平刊物上發(fā)表論文20余篇,以第一作者發(fā)表SCI/EI期刊論文6篇,授權(quán)/受理公開國家發(fā)明專利10余件。

[1] Yushuang He, Feipeng Wang, Guoqiang Du, Lei Pan, Kaizheng Wang, Reimund Gerhard, Ronald Plath, Pawel Rozga, Pavel Trnka. Revisiting the thermal ageing on the metallised polypropylene film capacitor: From device to dielectric film[J]. High Voltage, 2023, 8(2): 305- 314.

[2] Yushuang He, Feipeng Wang, Li He, Qiang Wang, Jian Li, Yihua Qian, Reimund Gerhard, Ronald Plath. An insight into the role of nano-alumina on DC flashover-resistance and surface charge variation of epoxy nanocomposites[J]. IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 2022, 29(3): 1022-1029.

[3] Yushuang He, Feipeng Wang, Guoqiang Du, Pan Lei. From independent to related: Voltage ramp rate effects on self-healing scaling in metallized polypropylene film capacitors[J]. IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, 2023. Early Access

[4] Yushuang He, Jianyu Pan, Feipeng Wang, Yihui Zhao, Xiao Li, Longya Xu. Control strategy of high-performance active rectifier using modular multilevel converter without DC-link voltage sensors[C]. IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, Singapore, 2021.

[5] Yushuang He, Feipeng Wang, Jianyu Pan, Haider M Umran, Li Ran, Zhengyong Huang. Effect of temperature on dielectric properties of metallized film capacitor[C]. IEEE International Conference on Electrical Materials and Power Equipment, Chongqing, 2021.

 

科研項(xiàng)目

作為主研人員參與國家自然科學(xué)基金重大研究計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目1項(xiàng)、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃2項(xiàng)、國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃1項(xiàng)。

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