報(bào)告承辦單位:物理與電子科學(xué)學(xué)院

報(bào)告內(nèi)容: Graphene doping technology, transistor fabrication, neuromorphic and chemical sensor applications

報(bào)告人姓名: 賴朝松

報(bào)告人所在單位: 長(zhǎng)庚大學(xué)

報(bào)告人職稱/職務(wù)及學(xué)術(shù)頭銜: 博士/長(zhǎng)庚大學(xué)工學(xué)院院長(zhǎng)

報(bào)告時(shí)間: 2019年9月5日下午2:00

報(bào)告地點(diǎn):云塘理科樓C522

報(bào)告人簡(jiǎn)介:賴朝松教授分別于1991年和1996年在臺(tái)灣交通大學(xué)獲得碩士和博士學(xué)位。1996年，加入新竹國(guó)立納米器件研究所，從事SOI器件研究。1997年加入長(zhǎng)庚大學(xué)，并分別于2001年和2006年成為副教授和全職教授。賴朝松教授的研究領(lǐng)域涉及：MOSFET器件特性與可靠性、Flash存儲(chǔ)器、高k介質(zhì)和金屬柵結(jié)構(gòu)、生物傳感器等。2001年至2002年，在加州大學(xué)伯克利分校從事FinFET器件訪問研究。2007年至2013年，擔(dān)任長(zhǎng)庚大學(xué)電子工程系主席和生物醫(yī)學(xué)研究中心生物傳感器組組長(zhǎng)，從事生物晶體管應(yīng)用相關(guān)研究。自2012年起，擔(dān)任長(zhǎng)庚大學(xué)工程學(xué)院院長(zhǎng)。賴朝松教授擁有12項(xiàng)美國(guó)專利和60項(xiàng)臺(tái)灣專利，發(fā)表超過150篇SCI論文，200篇會(huì)議論文，20個(gè)國(guó)際邀請(qǐng)報(bào)告，2本著作章節(jié)。賴朝松教授是多個(gè)SCI期刊的重要嘉賓編輯（Leading Guest Editer），包括：Microelectronics Reliability (2010年), Nano-Scaled Research Letters (2011年), and Solid-State Electronics (2012年), and Nano-Scaled Research Letters (2014年)。1997年獲得Lam研究獎(jiǎng)(Lam Research Award)，2001年獲得電子器件與材料協(xié)會(huì)的杰出獎(jiǎng)（Distinguished Aword）。