學(xué)科代碼： 0809    學(xué)科級(jí)別： 一級(jí)

   一 學(xué)科簡(jiǎn)介及研究方向

1、學(xué)科簡(jiǎn)介

電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科包括電路與系統(tǒng)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、電磁場(chǎng)與微波技術(shù)、物理電子學(xué)等四個(gè)二級(jí)學(xué)科。該學(xué)科和信號(hào)與信息處理、電子工程、通信與信息系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)等多個(gè)學(xué)科有著密切聯(lián)系，與空間科學(xué)、交通、電力、水利等行業(yè)的相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展緊密結(jié)合，形成了很好的發(fā)展勢(shì)頭。

該學(xué)科為湖南省重點(diǎn)學(xué)科，是我校重點(diǎn)發(fā)展的學(xué)科之一，具有較好的科研條件和較強(qiáng)的師資力量。擁有近地空間電磁環(huán)境監(jiān)測(cè)與建模湖南省高校重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、集成電路設(shè)計(jì)與驗(yàn)證中央與地方共建實(shí)驗(yàn)室、電磁兼容測(cè)試中央與地方共建實(shí)驗(yàn)室、光纖傳感與檢測(cè)中央與地方共建實(shí)驗(yàn)室等省部級(jí)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)和電磁環(huán)境模擬與先進(jìn)探測(cè)技術(shù)實(shí)驗(yàn)室、微納電子器件模擬與設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室、光電信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室、信號(hào)檢測(cè)與處理實(shí)驗(yàn)室等專業(yè)實(shí)驗(yàn)室，具備了優(yōu)越的研究生培養(yǎng)條件。該學(xué)科研究方向既前沿又能滿足國(guó)民經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場(chǎng)的需要，取得了重要的研究成果，獲得了國(guó)家杰出青年基金、國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、國(guó)家科技支撐計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目、國(guó)防973子課題、國(guó)防863子課題等40余項(xiàng)國(guó)家級(jí)項(xiàng)目資助，在信號(hào)檢測(cè)與處理、大數(shù)據(jù)與人工智能、專用集成電路設(shè)計(jì)、微納電子器件、空間電磁場(chǎng)與電磁波、光電信息技術(shù)、電磁材料與器件等方向逐步形成特色。

2、研究方向

序 號(hào)	研究方向
1	電路與系統(tǒng)	信號(hào)檢測(cè)與處理
		大數(shù)據(jù)與人工智能
2	微電子學(xué)與固體電子學(xué)	專用集成電路設(shè)計(jì)
		微納電子器件
3	電磁場(chǎng)與微波技術(shù)	空間電磁場(chǎng)與電磁波
4	物理電子學(xué)	光電信息技術(shù)
		電磁材料與器件

   二 培養(yǎng)目標(biāo)

本學(xué)科碩士學(xué)位獲得者應(yīng)掌握電子科學(xué)與技術(shù)方面堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)理論和系統(tǒng)的專業(yè)知識(shí)，熟悉本學(xué)科及相關(guān)領(lǐng)域的研究、發(fā)展趨勢(shì)，具有較強(qiáng)的從事科學(xué)研究的能力、科研實(shí)踐能力和運(yùn)用理論知識(shí)解決實(shí)際工程問(wèn)題的能力。至少熟練掌握一門(mén)外語(yǔ)，能勝任相關(guān)專業(yè)的研究開(kāi)發(fā)、工程技術(shù)或管理工作。

碩士學(xué)位獲得者應(yīng)政治合格，具有高尚的科學(xué)道德和敬業(yè)精神，追求科學(xué)，求真務(wù)實(shí)。

   三 培養(yǎng)方式

研究生培養(yǎng)實(shí)行以科研為主導(dǎo)的導(dǎo)師負(fù)責(zé)制，導(dǎo)師負(fù)責(zé)研究生的業(yè)務(wù)指導(dǎo)和思想政治教育，并組成以該研究生指導(dǎo)教師為組長(zhǎng)的研究生指導(dǎo)小組，負(fù)責(zé)研究生的培養(yǎng)和考核。

   四 學(xué)制與學(xué)分

1．  學(xué)制為3年，最長(zhǎng)學(xué)習(xí)年限不超過(guò)5年。

2．  第一學(xué)年內(nèi)完成所有課程學(xué)習(xí)。學(xué)位論文研究、撰寫(xiě)及答辯的時(shí)間要求不少于1年。學(xué)習(xí)成績(jī)和科研情況表現(xiàn)特別優(yōu)秀的學(xué)術(shù)型碩士生，可申請(qǐng)半年或一年提前畢業(yè)。

3．  最低學(xué)分要求

總學(xué)分	課程總學(xué)分(28學(xué)分)				培養(yǎng)環(huán)節(jié)學(xué)分 （6學(xué)分）			學(xué)位論文學(xué)分（34學(xué)分）
	學(xué)位基礎(chǔ)課			選修 課程	教學(xué)科研實(shí)踐	學(xué)術(shù)活動(dòng)	開(kāi)題 報(bào)告		學(xué)位論文
	公共基礎(chǔ)課	學(xué)科基礎(chǔ)課	學(xué)科前沿課
68	6	10	2	10	2	2	2		34

    五 課程設(shè)置

課程 類別		課程代碼	課程名稱	學(xué)分	開(kāi)課 時(shí)間	備注
學(xué)位基礎(chǔ)課	公共基礎(chǔ)課程	G1211001	中國(guó)特色社會(huì)主義理論與實(shí)踐研究	2	II	必修6學(xué)分
		G1211002	自然辨證法概論（理工類必修）	1	Ⅰ
		G1311001	綜合英語(yǔ)	2	Ⅰ
		G1311002	學(xué)術(shù)英語(yǔ)	1	II
	學(xué)科前沿課程	X1111007	電子科學(xué)與技術(shù)前沿專題	2	I	必修2學(xué)分
	學(xué)科基礎(chǔ)課程	G1011001	矩陣論	3	I	至 少 選 10 學(xué) 分 ， 其中數(shù)學(xué)類至少選3學(xué)分
		G1011002	數(shù)理統(tǒng)計(jì)	2	Ⅰ
		G1011003	數(shù)值分析	3	I
		X1011007	偏微分方程	3	Ⅰ
		X1111008	DSP算法與體系結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)	2	II
		X1111009	隨機(jī)信號(hào)分析與處理	2	I
		X1111010	微弱信號(hào)檢測(cè)	2	I
		X1111011	半導(dǎo)體器件物理	2	I
		X1111012	CMOS混合信號(hào)集成電路設(shè)計(jì)	2	I
		X1111013	電磁兼容理論與設(shè)計(jì)	2	II
		X1111014	微波與高速電路理論	2	II
		X1111015	高等電磁場(chǎng)理論	2	II
		X1111002	高等量子力學(xué)	3	I
		X1111003	固體理論	3	II
		X1111004	高等量子統(tǒng)計(jì)	2	I
		X1111005	凝聚態(tài)物理中的格林函數(shù)方法	3	II
		X1111006	量子場(chǎng)論	2	I
選修 課程	專業(yè)選修課	X1112011	群論	2	II	至 少 選 10 學(xué) 分
		X1112012	光纖傳感與檢測(cè)技術(shù)	2	II
		X1112013	嵌入式電子系統(tǒng)	2	II
		X1112014	圖像處理與模式識(shí)別	2	I
		X1112015	數(shù)字視頻技術(shù)	2	I
		X1112016	神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)理論與應(yīng)用	2	II
		X1112017	智能計(jì)算與處理基礎(chǔ)	2	I
		X1112018	大數(shù)據(jù)技術(shù)及應(yīng)用	2	II
		X1112019	CMOS射頻集成電路設(shè)計(jì)	2	I
		X1112020	VLSI電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)	2	I
		X1112021	VLSI測(cè)試?yán)碚撆c技術(shù)	2	II
		X1112022	半導(dǎo)體功率器件	2	II
		X1112023	微電子工藝學(xué)	2	II
		X1112024	空間電磁環(huán)境探測(cè)技術(shù)	2	II
		X1112025	嵌入式系統(tǒng)綜合設(shè)計(jì)	2	II
		X1112026	集成電路設(shè)計(jì)綜合實(shí)踐	2	II
		X1112027	微波與射頻電路仿真設(shè)計(jì)	2	II
		X1112001	地球空間電磁現(xiàn)象	2	II
		X1112002	半導(dǎo)體物理學(xué)	3	II
		X1112003	高通量計(jì)算方法	2	I
		X1112004	量子光學(xué)	2	II
		X1112005	納米及分子電子學(xué)	2	I
		X1112007	固體能帶理論	2	I
		X1112008	半導(dǎo)體光學(xué)	2	II
		X1112009	非線性光學(xué)	2	II
		X1112010	高等激光物理學(xué)	2	I
	素質(zhì)提升課程	X1112028	科學(xué)研究方法與學(xué)術(shù)論文寫(xiě)作	1	II
必修 環(huán)節(jié)		教學(xué)（科研）實(shí)踐		2	I-V
		學(xué)術(shù)活動(dòng)		2	I-V
		開(kāi)題報(bào)告		2	III, IV

注1：數(shù)學(xué)至少選3個(gè)學(xué)分

注2：跨學(xué)科報(bào)考的碩士生根據(jù)研究方向補(bǔ)修本學(xué)科本科生骨干課程2門(mén)，補(bǔ)修課程不列入培養(yǎng)計(jì)劃，不計(jì)學(xué)分，由導(dǎo)師和學(xué)院負(fù)責(zé)檢查和審核。

注3：英語(yǔ)實(shí)行免修制度，申請(qǐng)免修條件如下：

（1）TOEFL成績(jī)95分以上(IBT)，2年內(nèi)有效；

（2）IELTS成績(jī)6.5分以上，2年內(nèi)有效；

（3）GRE成績(jī)320以上（新），5年內(nèi)有效；

（4）GMAT成績(jī)700分以上，5年內(nèi)有效；

（5）WSK(PETS 5)考試合格，2年內(nèi)有效；

（6）國(guó)家英語(yǔ)六級(jí)CET6考試520分以上（新）；

（7）本科或碩士階段獲英語(yǔ)專業(yè)學(xué)位或畢業(yè)證書(shū)。

   六 必修環(huán)節(jié)及要求

學(xué)術(shù)型碩士研究生的必修環(huán)節(jié)包括教學(xué)（科研）實(shí)踐、學(xué)術(shù)活動(dòng)、中期篩選、學(xué)位論文開(kāi)題報(bào)告、學(xué)位論文中期檢查。

1.教學(xué)（科研）實(shí)踐（2學(xué)分）

研究生必須有一定的實(shí)踐工作。教學(xué)實(shí)踐在專業(yè)教研室的統(tǒng)一安排下，由研究生擔(dān)任一定量的大學(xué)本科教學(xué)工作，內(nèi)容包括：講課、批改作業(yè)、輔導(dǎo)答疑或協(xié)助指導(dǎo)實(shí)驗(yàn)、課程論文與畢業(yè)論文等，總工作量不少于40學(xué)時(shí)，一般安排在第3、4學(xué)期。成績(jī)由課程所在教研室負(fù)責(zé)給出，合格者方可畢業(yè)。

2.學(xué)術(shù)活動(dòng)(2學(xué)分)

學(xué)術(shù)型碩士生在校期間應(yīng)參加6次以上學(xué)術(shù)活動(dòng)，其中本人應(yīng)進(jìn)行學(xué)術(shù)報(bào)告1次以上。每次學(xué)術(shù)活動(dòng)要撰寫(xiě)總結(jié)報(bào)告，并將有關(guān)的書(shū)面材料交導(dǎo)師簽字認(rèn)可。學(xué)術(shù)活動(dòng)內(nèi)容包括：學(xué)術(shù)講座，學(xué)術(shù)研討會(huì)以及參加訪問(wèn)講學(xué)等。

參加學(xué)術(shù)活動(dòng)的次數(shù)與具體要求由導(dǎo)師確定。學(xué)術(shù)活動(dòng)成績(jī)由導(dǎo)師給出，由學(xué)院負(fù)責(zé)審核，合格者記2個(gè)學(xué)分。

3.學(xué)位論文開(kāi)題報(bào)告(2學(xué)分)

碩士研究生必須調(diào)研、查閱中外文獻(xiàn)，了解本學(xué)科或本研究方向國(guó)內(nèi)外研究進(jìn)展，確定研究?jī)?nèi)容，完成學(xué)位論文開(kāi)題報(bào)告。開(kāi)題報(bào)告應(yīng)包括選題的背景意義、國(guó)內(nèi)外研究動(dòng)態(tài)及發(fā)展趨勢(shì)、主要研究?jī)?nèi)容、擬采取的技術(shù)路線及研發(fā)方法、預(yù)期成果、進(jìn)度安排等。要求查閱本學(xué)科前沿的國(guó)內(nèi)外文獻(xiàn)資料40篇以上，其中外文文獻(xiàn)占1/3以上，寫(xiě)出不少于5000字左右的書(shū)面報(bào)告。

開(kāi)題報(bào)告按學(xué)校的規(guī)范要求撰寫(xiě)書(shū)面報(bào)告并打印，由研究生本人在專業(yè)教研室召開(kāi)的會(huì)議上報(bào)告。專業(yè)教研室應(yīng)嚴(yán)格審議。合格者方可進(jìn)入論文研究階段。

開(kāi)題報(bào)告一般在第3學(xué)期進(jìn)行，首次開(kāi)題報(bào)告未獲通過(guò)者，應(yīng)盡快補(bǔ)做，最遲應(yīng)在第4學(xué)期內(nèi)完成。開(kāi)題合格者計(jì)2學(xué)分。

4.中期篩選考核

學(xué)術(shù)型碩士研究生執(zhí)行中期篩選考核制度，學(xué)院組織考核小組，對(duì)學(xué)術(shù)型碩士研究生的政治思想表現(xiàn)、課程學(xué)習(xí)成績(jī)、科研情況等進(jìn)行中期考核，中期考核通過(guò)者，準(zhǔn)予繼續(xù)進(jìn)行論文工作；中期考核未通者，依據(jù)相關(guān)文件對(duì)研究生進(jìn)行篩選和分流。中期篩選考核一般安排在第四學(xué)期。

5.學(xué)位論文中期檢查

學(xué)院嚴(yán)格執(zhí)行學(xué)位論文中期檢查制度，在學(xué)位論文工作的中期，學(xué)院組織考核小組，對(duì)研究生的學(xué)術(shù)能力、論文工作進(jìn)展情況以及工作態(tài)度和精力投入等進(jìn)行全面考查。中期檢查通過(guò)者，準(zhǔn)予繼續(xù)進(jìn)行論文工作；中期考核未通者，依據(jù)相關(guān)文件對(duì)研究生進(jìn)行篩選和分流。學(xué)位論文中期檢查一般安排在第五學(xué)期。

6.學(xué)院嚴(yán)格執(zhí)行研究生開(kāi)題報(bào)告、學(xué)位論文中期檢查、學(xué)位論文答辯等環(huán)節(jié)的考核和淘汰機(jī)制，規(guī)范各個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)，未達(dá)到要求不能進(jìn)入答辯申請(qǐng)階段。具體時(shí)間要求：從學(xué)位論文開(kāi)題到答辯的時(shí)間至少1年；學(xué)位論文中期檢查到答辯的時(shí)間至少半年。

   七 學(xué)位論文

學(xué)習(xí)期間，研究生必須在專業(yè)期刊上發(fā)表（或已接受）與學(xué)位論文相關(guān)的學(xué)術(shù)論文1篇以上，并且論文要以長(zhǎng)沙理工大學(xué)為第一署名單位、研究生為第一作者（或研究生為第二作者，導(dǎo)師為第一作者），否則，不能申請(qǐng)學(xué)位論文答辯。

學(xué)位論文的目的在于使研究生在科學(xué)研究方面受到較全面的訓(xùn)練，培養(yǎng)從事科學(xué)研究和獨(dú)立承擔(dān)專門(mén)技術(shù)工作的能力。研究生學(xué)位論文應(yīng)在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，獨(dú)立完成。論文的研究工作應(yīng)對(duì)本學(xué)科研究領(lǐng)域具有一定的貢獻(xiàn)和創(chuàng)新，或一定的應(yīng)用價(jià)值。

研究生學(xué)位論文用中文撰寫(xiě)。并嚴(yán)格按照《長(zhǎng)沙理工大學(xué)關(guān)于攻讀碩士學(xué)位研究生論文工作的若干規(guī)定》及《長(zhǎng)沙理工大學(xué)研究生學(xué)位論文撰寫(xiě)規(guī)范》等文件的要求認(rèn)真撰寫(xiě)，并要求行文流暢、用語(yǔ)準(zhǔn)確、標(biāo)點(diǎn)正確、數(shù)據(jù)翔實(shí)、分析透徹。

學(xué)位論文的字?jǐn)?shù)一般不少于3萬(wàn)，具體要求參照長(zhǎng)沙理工大學(xué)研究生學(xué)位論文的有關(guān)規(guī)定。