報告承辦單位:物理與電子科學(xué)學(xué)院

報告內(nèi)容: 電力電子器件及其應(yīng)用研究

報告人姓名: 王俊

報告人所在單位: 湖南大學(xué)

報告人職稱/職務(wù)及學(xué)術(shù)頭銜:教授

報告時間: 2022年6月29日 9：30

報告地點(diǎn): 理科樓C509

報告人簡介: 湖南大學(xué)電氣與信息工程學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師；國家特聘青年專家、湖南省“高層次人才聚集工程”創(chuàng)新人才、湖南大學(xué)岳麓學(xué)者、東華軟件青年學(xué)者；中國功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟專家委員會委員、中國電源學(xué)會器件專委會委員、中國電機(jī)工程學(xué)會電力電子器件專委會委員、中國物理學(xué)會應(yīng)用物理前沿推介委員會IEEE高級會員, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics和IET Power Electronics編委.美國北卡羅來納州立大學(xué)博士攻讀期間，發(fā)明了世界首個SiC ETO晶閘管；美國德州儀器公司工作期間，所研發(fā)的高性能功率MOSFET 產(chǎn)品（NexFET）被應(yīng)用到蘋果公司的iphone5和ipad2、戴爾和惠普服務(wù)器等產(chǎn)品中；發(fā)表第一作者/通訊作者國際期刊論文40余篇，擁有3項美國發(fā)明專利、1項日本發(fā)明專利和17項中國發(fā)明專利。主持了1個國家自科基金區(qū)域創(chuàng)新聯(lián)合基金重點(diǎn)項目、2個國家自科基金面上項目、1個湖南省重點(diǎn)研發(fā)計劃項目、1個重點(diǎn)研發(fā)計劃項目子課題、工信部“強(qiáng)基工程”項目子課題、湖南省重大專項項目課題和15項企業(yè)橫向合作項目。