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長庚大學(xué)賴朝松教授應(yīng)邀來我院作學(xué)術(shù)報告

9月5日下午2點,應(yīng)院邀請,臺灣長庚大學(xué)工程學(xué)院院長賴朝松教授在理科樓C522了一場題為 Graphene doping technology, transistor fabrication, neuromorphic and chemical sensor applications”的學(xué)術(shù)報告,部分教師、部分光電信息科學(xué)與工程專業(yè)的本科生和研究生參加了此次報告會。

報告會上,賴朝松教授首先對二維材料定義,研究進程和應(yīng)用進行了簡要的介紹,后就石墨烯在記憶體以及神經(jīng)元件等方面的應(yīng)用進行了詳細(xì)的講解和分析。最后賴教授用生動形象的語言闡述了其廣闊的應(yīng)用前景。會后,老師和同學(xué)們都踴躍提問,教授就相關(guān)問題做了詳細(xì)的解答,并與老師和同學(xué)們進行了激烈的討論,使大家受益匪淺,激發(fā)了大家的科研熱情。

賴朝松教授分別于1991年和1996年在臺灣交通大學(xué)獲得碩士和博士學(xué)位。1996年,加入新竹納米器件研究所,從事SOI器件研究。1997年加入長庚大學(xué),并分別于2001年和2006年成為副教授和全職教授。賴朝松教授的研究領(lǐng)域涉及:MOSFET器件特性與可靠性、Flash存儲器、高k介質(zhì)和金屬柵結(jié)構(gòu)、生物傳感器等。自2012年起,擔(dān)任長庚大學(xué)工程學(xué)院院長。賴朝松教授擁有12項美國專利和60項臺灣專利,發(fā)表超過150篇SCI論文,200篇會議論文,20個國際邀請報告,2本著作章節(jié)。賴教授同時也是多個SCI期刊的重要嘉賓編輯(Leading Guest Editer)。2001年獲得電子器件與材料協(xié)會的杰出獎(Distinguished Aword)。

 

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